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图3DOS和载流子分布图a)Zn3C2,公示更信b)Hg3C2,c)Cd3C2,d)T-VTe2,E)H-VTe2和f)H-TaTe2的DOS(E)和n(E)关系。图2第一性原理计算(DOS)a-b)DOS沿传输方向投射到石墨烯CS-FET上,第电用于a)开态和b)关态器件。
家售【图文简介】图1石墨烯CS-FET模型a)n型InSe基石墨烯CS-FET的侧视图。等效氧化物厚度(EOT=0.54nm)、司业栅极长度(L=7.8nm)和电源电压(VSD=0.74V)根据2021国际半导体技术路线图(ITRS)对高性能晶体管进行参数化。然而,范围变由于不可避免的化学无序和缺陷诱导的带隙态,范围变传统的金属:半导体(MS)界面通常遭受强费米尔钉扎,从而限制了栅的可调控性【研究简介】近日,清华大学精密仪器系李黄龙副教授(通讯作者)及其博士后吕娟(第一作者)在Adv.Mater.上发表了一篇题目为ANewOpportunityfor2DvanderWaalsHeterostructures:MakingSteep-SlopeTransistors的研究成果。
e)放大能量区的DOS(e)和n(e),蒙东在该区域附近,SS=57mVdec-1的最陡斜率出现。图5器件工作状态下能带分析a-b)T-VTe2CS-FET的PLDOS,公示更信a)开状态和b)关状态。
插图显示了松弛的原子结构,第电绿色和橙色的球分别代表V原子和Te原子。
作为测试案例,家售研究者研究了具有原始石墨烯、掺杂石墨烯、Cd3C2、T-VTe2、H-VTe2和H-TaTe2CSs的高迁移率单层InSe基n型场效应晶体管。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读,司业投稿邮箱[email protected]。
到目前为止,范围变作为发射体来实现高效无掺杂蓝色OLEDs的纯蓝色发光剂,同时作为构建高CRI的高性能WOLEDs的主要器件的纯蓝色发光剂还很少见。然而,蒙东一系列挑战和关键问题仍未解决。
公示更信【图文导读】图1 TPAATPE和PPIATPE的光谱表征(a,b)TPAATPE和PPIATPE在稀释THF溶液(a)和纯薄膜(b)中的紫外-可见吸收光谱和PL光谱。基于TPAATPE的非掺杂器件显示稳定的纯蓝光,第电其CIE坐标为(0.15,0.16),最大EQE为6.97%。
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